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　　DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

工作原理

　　SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

性能特点

　　与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。

　　从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

　　电脑蓝屏的故障很多，不过依照你的描述的情况可以看出多半是因为你把FSB的电压调的太高了。导致了内存颗粒的损坏导致的，这是一个相当悲剧的结果……希望你做好心理准备进行一下的阅读和操作。

　　调节电压的时候一定要慎重，参考网络上他人分享的数据一点点的来。

　　我们通常说的一些默认的超频结果啊，其实只是一些人的自以为然。不存在什么默认的，每一块的主板都跟每一个人一样不可能和另外的一样。它们的“体质“是有所差异，因此对于超频的时候，我们应采取保守稳健的方式。先看别人的结果，然后低于别人的记过一点一点的小幅度来。切记贪心，够用就行了。

　　FSB电压时一个很危险的东西，搞不好就会造成所谓的“缩缸”显现，出现这种现象的结果就是，间歇性的死机，蓝屏。

　　其主要原因是过高的电压损坏了，CPU或者内存的内部结构。当CPU的运行率一高就可能出现严重的错误或者内存一旦存储到了问题的地址后就会出现读写错误。

　　由于，windows系统的内核不像linux那样。windows的内核允许应用程序自行访问调用硬件的所有的资源。一旦一个程序访问到了坏的内存，由于没有系统内核的协调就会崩溃。进而导致整个系统的崩溃。其结果无非死机和蓝屏。

　　建议你用CPU-Z和内存检测工具 Memtest86+ V2.01分别检测一下CPU和内存。看看是不是有问题。

　　一般出现这个现象有方面的，一是硬件，即内存方面有问题，二是软件，这就有多方面的问题了。

　　下面先说说硬件：

　　一般来说，内存出现问题的可能性并不大，主要方面是：内存条坏了、内存质量有问题，还有就是2个不同牌子不同容量的内存混插，也比较容易出现不兼容的情况，同时还要注意散热问题，特别是超频后。你可以使用MemTest 这个软件来检测一下内存，它可以彻底的检测出内存的稳定度。

　　假如你是双内存，而且是不同品牌的内存条混插或者买了二手内存时，出现这个问题，这时，你就要检查是不是内存出问题了或者和其它硬件不兼容。

　　如果都没有，那就从软件方面排除故障了。

　　先简单说说原理：内存有个存放数据的地方叫缓冲区，当程序把数据放在其一位置时，因为没有足够空间，就会发生溢出现象。举个例子：一个桶子只能将一斤的水，当你放入两斤的水进入时，就会溢出来。而系统则是在屏幕上表现出来。这个问题，经常出现在windows2000和XP系统上，Windows 2000/XP对硬件的要求是很苛刻的,一旦遇到资源死锁、溢出或者类似Windows 98里的非法操作，系统为保持稳定，就会出现上述情况。另外也可能是硬件设备之间的兼容性不好造成的。

　　解决办法，使用系统修复工具，常识性修复，如360 安全小卫士的全自动一键修复功能!

　　不行的话，可以重装该软件或者重装系统，如问题依旧，可以多条内存单条测试，单条内存更换内存测试。

    XMP是Extreme Memory Profile的缩写，是Intel在2007年9月提出的内存认证标准，只适用于DDR3。

XMP工作原理

　　众所周知，内存条可以工作在其默认频率之上。内存的预设频率并不高，这样是为了其产品稳定。游戏玩家可以将其频率提升，从而提升性能。

　　由于玩家需求，内存厂商为此生产了各种游戏内存。游戏内存拥有很强的超频能力，频率可远高于其默认频率。游戏内存除了在起SPD中写入了默认频率的设定外，还写入了一个超频设定到SPD中，所以只要启用SPD中的这个超频设定，内存就可以被自动超频到预设的频率。

　　为了统一行业内的超频数值标准，而不让各个内存厂商随意设定更高的内存频率数值写入到SPD，英特尔提出了XMP认证标准。通过XMP认证的内存会在内存地址176 ~ 254中记录内存的速度设定，最多可以保存2组设定值。厂商们如需要得到XMP的认证，就必须把内存及该设定送交Intel测试，通过后就会给予认证。

　　通过XPM认证后，其SPD中除了预设普通频率数值的SPD值外，还写入了更高频率设定的SPD。这个更高频率的设定配合支持XMP的主板后可以被启用，从而将内存超频提升性能。

　　简单的说，通过了英特尔XMP认证的内存，SPD中有两个或更多频率设定档案，只要在主板中启用这些预设的XMP档案，即可将内存条自动超频到1600或更高值(根据档案设定而定)。

　　XMP与手动超频效果基本无异，所以可将其看作为内存的自动超频技术。

　　XMP信息也可自行手动修改SPD得来。

　　使用XMP时需注意的问题

　　如果CPU支持比如6分频，启用XMP后不更改CPU外频即可将内存超频至1600或之上;若CPU不支持，则开启XMP后，CPU外频将被主板自动提高。

　　这个不一定，金士顿不是一直只用同一个厂商的内存颗粒的，不过基本上也只用两家的，一个是日本尔必达(ELPIDA)的内存颗粒，一个是韩国海力士的颗粒。这两家生产的内存颗粒都是被各国承认的，至于差异上一般也都只有在高端产品的特殊功能上有差异。

　　至于超频么，基本上不能。这只是普通的内存，适用于超频的颗粒都是挑选的优质晶圆制造的颗粒才可以，价格较贵。

　　这个不一定，金士顿不是一直只用同一个厂商的内存颗粒的，不过基本上也只用两家的，一个是日本尔必达(ELPIDA)的内存颗粒，一个是韩国海力士的颗粒。这两家生产的内存颗粒都是被各国承认的，至于差异上一般也都只有在高端产品的特殊功能上有差异。

　　至于超频么，基本上不能。这只是普通的内存，适用于超频的颗粒都是挑选的优质晶圆制造的颗粒才可以，价格较贵。

　　可以的，但是如果和原有的1333的一起使用的时候1600的内存将被默认降频到1333的主频来运行。不会对硬件造成任何影响。

　　但是不建议在超频的情况下如此使用，超频情况下本身内存就已经运行在了不稳定的状态，发热量也增加了。如果在次情况下使用超频设置的由于无法对单独的某一条内存单独设置，很肯能出现蓝屏无法开机的情况。

金士顿2GB DDR2 800的CL值是多少

　　这款内存条属于低端产品因此CL值也不会太理想，根据这款内存的铭牌和参数提供的数据基本上可以确定这款内存的CL延迟：9-9-9-24。

　　直接识别内存的CL延迟基本上都是通过产品的铭牌来识别，当然开机用软件检测也可以。有些情况有些颗粒上页面也会表示出来。

金士顿内存简介

　　金士顿内存为世界第一大内存生产厂商的Kingston的产品，其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的金士顿内存售后服务，赢得了众多中国消费者的心。

　　内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。人们平常使用的程序,如Windows98系统，打字软件，游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的。但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，人们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常人们把要永久保存的，大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。

　　由于Kingston内存品质出众，在普通消费者中拥有相当好的口碑，出货量也相对较大。所以众多造假者纷纷将目光瞄向了Kingston内存，这就使得目前市场上假Kingston内存有泛滥之势。为此，今天我们为大家精心打造了这篇《真假金士顿内存鉴别方法》，以图片为主，辅以文字解说。相信看完这篇文章后，朋友们都可以轻松识别出假Kingston内存。

　　最简单的就是拨打官方的电话，输出查询号码，一定要拨打官方的电话，不能拨打内存包装上印的电话号码(当然如果是真的印的就是官方了)

　　金士顿官方地址：http://www.kingston.com/china/

　　或者是通过外观看出来，假的就是假的永远是次品。

区别之处主要有以下三点：

　　1、在Kingston这个标志右上方的小圆圈，中间有个“R”字符，假内存条上的圆圈和字符都比较大，用肉眼就可以清楚的看到;真内存条上的圆圈和字符都比较小，用肉眼看很难看清楚。

　　2、假内存条，标签中部的编码“1642655-0347954”，与下面的字符“ASSY IN CHINA(1)”之间的间隔，比起与上面编码”9905193-015.A00”的间隔，要宽上许多。真内存条，“9905192-012.A00”、“1868646-1830975”、“ASSY IN CHINA(1)”三行字符的间隔是一样的。

　　3.假内存条，标签中部的编码“1642655-0347954”，与下面的字符“ASSY IN CHINA(1)”相比，字体的笔划上，后者明显要纤细许多;真内存条，“1868646-1830975”、“ASSY IN CHINA(1)”的字体的笔划粗细一致。

　　在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器(简称内存，港台称之为记忆体)。

　　内存又称主存，是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。内存的特点是存取内存速率快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。就好比在一个书房里，存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存，而我们工作的办公桌就是内存。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。

内存概述

　　内存就是暂时存储程序以及数据的地方，比如当我们在使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，

　　它就被存入内存中，当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬(磁)盘。在进一步理解它之前，还应认识一下它的物理概念。

　　内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，以及高速缓存(CACHE)。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。(synchronous)SDRAM 同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。DDR(DOUBLE DATA RATE)RAM ：SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

　　●只读存储器(ROM)

　　ROM表示只读存储器(Read Only Memory)，在制造ROM的时候，信息(数据或程序)就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器停电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式(DIP)的集成块。

　　●随机存储器(RAM)

　　随机存储器(Random Access Memory)表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关

　　闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条(SIMM)就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有1G/条，2G/条，4G/条等。

　　●高速缓冲存储器(Cache)

　　Cache也是我们经常遇到的概念，也就是平常看到的一级缓存(L1 Cache)、二级缓存(L2 Cache)、三级缓存(L3 Cache)这些数据，它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问较慢的内存，当然，如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据。

　　●物理存储器和地址空间

　　物理存储器和存储地址空间是两个不同的概念。但是由于这两者有十分密切的关系，而且两者都用

　　B、KB、MB、GB来度量其容量大小，因此容易产生认识上的混淆。初学者弄清这两个不同的概念，有助于进一步认识内存储器和用好内存储器。

　　物理存储器是指实际存在的具体存储器芯片。如主板上装插的内存条和装载有系统的BIOS的ROM芯片，显示卡上的显示RAM芯片和装载显示BIOS的ROM芯片，以及各种适配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存储器。

　　存储地址空间是指对存储器编码(编码地址)的范围。所谓编码就是对每一个物理存储单元(一个字节)分配一个号码，通常叫作“编址”。分配一个号码给一个存储单元的目的是为了便于找到它，完成数据的读写，这就是所谓的“寻址”(所以，有人也把地址空间称为寻址空间)。

　　地址空间的大小和物理存储器的大小并不一定相等。举个例子来说明这个问题：某层楼共有17个房间，其编号为801～817。这17个房间是物理的，而其地址空间采用了三位编码，其范围是800～899共100个地址，可见地址空间是大于实际房间数量的。

　　对于386以上档次的微机，其地址总线为32位，因此地址空间可达2的32次方，即4GB。(虽然如此，但是我们一般使用的一些操作系统例如windows xp、却最多只能识别或者使用3.25G的内存，64位的操作系统能识别并使用4G和4G以上的的内存，

　　好了，现在可以解释为什么会产生诸如：常规内存、保留内存、上位内存、高端内存、扩充内存和扩展内存等不同内存类型。 

DDR2和DDR3的区别

　　DDR2和DDR3的插槽是不一样，DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，性能高。

　　DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限(不考虑PAE等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流)当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。

一、DDR2与DDR3内存的特性区别：

　　1、逻辑Bank数量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

　　2、封装(Packages)

　　由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

　　3、突发长度(BL，Burst Length)

　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

　　4、寻址时序(Timing)

　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。

二、与DDR2相比DDR3具有的优点(桌上型unbuffered DIMM)：

　　1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。

　　2.更省电：DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率(RASR，Partial Array Self-Refresh功能)，达到省电目的。

　　3.容量更大：更多的Bank数量，依照JEDEC标准，DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB)，但目前许多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量，也就是说届时单条DDR2的DRAM模块，容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳，目前规划单条模块到16GB也没问题(注意：这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言，server用的FB与Registered不在此限)。

　　第一种，你的CPU-Z版本有问题。有的时候由于CPU-Z的版本比较低。所以，测出来的是有问题的。

　　第二种，就是你买到假的内存了。

　　第三种，内存异步工作模式。

　　在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz)，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其次，在正常的工作模式(CPU不超频)下，目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如Intel 910GL芯片组，仅仅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外频，但却可以搭配工作频率为133MHz的DDR 266、工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz的DDR 400正常工作(注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。

　　第三种的可能性不大，因为一般都是内存比CPU高才对，你这个不升反降了。因此可以判定是最大的可能性就是第二种，你买到了假的内存了。

　　这类问题是典型的没有对系统做定期维护的习惯导致的。Windows相对Linux和Mac系统来说最大的的区别就是在于Windows系统在使用过程中会产生积累很多很多的注册表(.reg)和动态数据连接文件(.dll)这些文件很多时候系统并不会自动清除过期的或者有问题的，时间久了就会形成系统的垃圾文件。

　　有的时候意外的断电会导致写入了一半的系统必须的注册表或者动态链接文件失效变成报废的文件存在。一旦再次读取这些文件就会产生错误，系统会提示重启企图自动修复。往往却不能完成修复。这类比较常见故障，表现为能够正常启动系统，但是在进入桌面时，系统会提示注册表读取错误，需要重新启动电脑修复该错误，但是再次启动电脑后，仍旧是同样的故障。

　　对于此类问题，我们可以进入安全模式，在运行中敲入“MSCONFIG”命令，将“启动”项中的ScanRegistry前面的“V”去除，然后再重新启动电脑。

　　如果故障排除，说明该问题真的是由注册表错误引起的;如果故障仍然存在，基本上就可以断定该机器内存有问题，这时需要使用替换法，换上性能良好的内存条检验是否存在同样的故障。(如没有备用的内存，同时机器内部有2条内存的可以单挑启动分别测试。)

　　有时候，长时间不进行磁盘碎片整理，没有进行错误检查时，也会造成系统错误而提示注册表错误，但对于此类问题在禁止运行“ScanRegistry”后，系统就可以正常运行，但速度会明显的变慢。

　　首先使用如advance system，360工具箱之类的维护软件可以进行最小限度的拯救式修复，如无法修复可以手动到其他相同版本系统的计算机上去复制。或者直接保存重要数据后重新安装系统。

　　金士顿内存条上面共有3组数字，分别代表安全识别码，产品序列号码和内存ID号码。安全识别码比较好辨认，通常是“AVMK0870412”这种格式。一般内存ID号和产品序列号码是排在一起的，其中内存ID号是排在产品序列号的上面。

 

　　这款内存使用的是被称为FBGA封装模式的颗粒封装技术。

　　Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列。FBGA(通常称作CSP)是一种在底部有焊球的面阵引脚结构, 使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写, 即球栅阵列封装。

　　采用BGA技术封装的内存, 可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍, BGA与TSOP相比, 具有更小的体积, 更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升, 采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下, 体积只有TSOP封装的三分之一;另外, 与传统TSOP封装方式相比, BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。

　　BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它生力军本色, 金士顿、勤茂科技等领先内存制造商已经推出了采用CSP封装技术的内存产品。CSP, 全称为Chip Scale Package, 即芯片尺寸封装的意思。作为新一代的芯片封装技术, 在BGA、TSOP的基础上, CSP的性能又有了革命性的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况, 绝对尺寸也仅有32平方毫米, 约为普通的BGA的1/3, 仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下, 内存条可以装入更多的芯片, 从而增大单条容量。也就是说, 与BGA封装相比, 同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍，CSP封装内存不但体积小, 同时也更薄, 其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm, 大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性, 线路阻抗显著减小, 芯片速度也随之得到大幅度的提高。CSP封装的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当大的提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP、BGA引脚数多的多(TSOP最多304根，BGA以600根为限，CSP原则上可以制造1000根), 这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。此外, CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离, 其衰减随之减少, 芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升, 这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%-20%。

　　在CSP的封装方式中, 内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上, 由于焊点和PCB板的接触面积较大, 所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去;而传统的TSOP封装方式, 内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的, 焊点和PCB板的接触面积较小, 使得芯片向PCB板传热就相对困难。CSP封装可以从背面散热, 且热效率良好, CSP的热阻为35℃/W, 而TSOP热阻40℃/W。测试结果显示, 运用CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达88.4%, 而TSOP内存中传导到PCB板上的热量能为71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑, 电路冗余度低, 因此它也省去了很多不必要的电功率消耗, 致使芯片耗电量和工作温度相对降低。目前内存颗粒厂在制造DDR333和DDR400内存的时候均采用0.175微米制造工艺, 良品率比较低。而如果将制造工艺提升到0.15甚至0.13微米的话, 良品率将大大提高。而要达到这种工艺水平, 采用CSP封装方式则是不可避免的。因此CSP封装的高性能内存是大势所趋

　　这种高密度、小巧、扁薄的封装技术非常适宜用于设计小巧的手持式消费类电子装置, 如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机。